Numer produktu producenta:
TSM055N03PQ56 RLG
Product Overview
Producent:
Taiwan Semiconductor Corporation
Numer części:
TSM055N03PQ56 RLG-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 80A 8PDFN
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 80A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Magazyn:
110 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12894588
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TSM055N03PQ56 RLG Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Taiwan Semiconductor
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
80A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
11.1 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1160 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
74W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-PDFN (5x6)
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN
Podstawowy numer produktu
TSM055
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TSM055N03PQ56RLGDKR
TSM055N03PQ56RLGCT
TSM055N03PQ56 RLGDKR
TSM055N03PQ56 RLGCT-DG
TSM055N03PQ56RLGTR
TSM055N03PQ56 RLGTR-DG
TSM055N03PQ56 RLGDKR-DG
TSM055N03PQ56 RLGCT
TSM055N03PQ56 RLGTR
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
DMTH6004SK3Q-13
MOSFET N-CH 60V 100A TO252
DMT6005LFG-7
MOSFET N-CH 60V PWRDI3333
DMN2065UWQ-7
MOSFET N-CH 20V 3.1A SOT323
